توضیحات
این ترانزیستور یک ماسفت قدرت می باشد که قابلیت سودیچ جریان های بالا تا 46 آمپر را دارد. کاربرد این ماسفت ها در منابع تغذیه سوئیچینگ، UPS ها و کاربردهایی است که لازم است جریان های زیاد سوئیچ شوند.
متداول‌ترین FET با گیت ایزوله شده که در کاربردهای مختلفی به کار می‌رود، ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌رسانای اکسید فلز یا ماسفت (MOSFET) است. IGFET یا MOSFET یک ترانزیستور اثر میدان کنترل شده با ولتاژ است که با JFET تفاوت دارد و این تفاوت، یک الکترود گیت «اکسید فلز» است که از نظر الکتریکی نسبت به نیمه‌هادی اصلی کانال N یا کانال P با یک لایه بسیار نازک از ماده عایق کننده (معمولاً اکسید سیلیکون) جدا شده است.
این الکترود گیت فلز ایزوله شده بسیار نازک را می‌توان به عنوان یک صفحه خازن در نظر گرفت. ایزولاسیون گیت کنترل سبب می‌شود مقاومت ورودی ماسفت بسیار بزرگ و در محدوده مگااهم باشد.
توضیحات تراتزیستور ماسفت
| ولتاژ Gate-Source | ±20 |
| PD @ Tc=25ᵒC | 280W |
| محدوده دمای کاری(C) | -55 to +150 |
| زمان صعود (tr) | 120ns |
| فرمت پایه ها | TO-247AC |
| زمان نزول(tf) | 94ns |
| تعداد پایه ها | 3 |
| نوع ماسفت | N-Channel |
| جریان Drain | 46A |
| پارت نامبر | IRFP260N |
| ولتاژ Drain Source | 200V |
ابعاد
| طول (mm) | 15.87 |
| عرض (mm) | 5.31 |
| ارتفاع (mm) | 20.82 |
فایل پی دی اف: ترانزیستور | Power MOSFET Transistor IRFP260N
Power MOSFET Transistor IRFP26ON
نقد و بررسی‌ها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.