توضیحات
ترانزیستور سه پایه ، МП41А Transistor
ترانزیستورهای МП41А آلیاژ ژرمانیوم MP41А تقویت کننده فرکانس پایین
برای تقویت سیگنال های فرکانس پایین طراحی شده است.
آنها در یک جعبه فلز به شیشه با لیدهای انعطاف پذیر تولید می شوند.
تعیین نوع در کنار محفظه نشان داده شده است .
جرم ترانزیستور بیش از 2 گرم نیست .
نوع بسته بندی: KTYu-3-6
مشخصات: aA0.336.635TU
مشخصات اصلی فنی ترانزیستور MМ41А
ساختار ترانزیستور: pnp
Рк max – توان جمع كننده ثابت: 150 مگاوات
fh21b – محدود کردن فرکانس نسبت انتقال جریان ترانزیستور برای مدارهای دارای یک فرستنده مشترک و یک پایه مشترک: کمتر از 1 مگاهرتز
نمونه های Uker – انتشار دهنده ولتاژ خرابی در یک جریان جمع کننده مشخص و یک مقاومت (نهایی) داده شده در مدار مبدل پایه: 15 ولت
نمونه های Uebo – پایه امیتر ولتاژ خرابی در جریان معکوس معینی از انتشار دهنده و مدار جمع کننده باز: 10 ولت
حداکثر Ik – حداکثر جریان جمع کننده مستقیم مجاز: 30 میلی آمپر
Ik and max – حداکثر جریان جمع کننده پالس مجاز: 150 میلی آمپر
Ikbo – جریان جمع کننده معکوس – جریان از محل اتصال کلکتور در یک ولتاژ معکوس پایه جمع کننده و یک ترمینال انتشار دهنده باز: بیش از 15 μA
h21e – ضریب انتقال جریان استاتیک ترانزیستور در حالت سیگنال کوچک برای مدارهای دارای یک فرستنده مشترک و یک پایه مشترک ، به ترتیب: 50 … 100
Ck – ظرفیت اتصال جمع کننده: بیش از 50 pF
مشخصات فنی
ساختار
pnp
حداکثر سابق. k-b در جریان معکوس معین k و مدار باز e. (حداکثر Ukbo) ، V
15
حداکثر سابق. k-e در جریان معین k و مدار باز b. (حداکثر اوکیو) ، پنجم
ده
حداکثر جریان مجاز به (حداکثر Ik A)
0.03
ضریب انتقال جریان استاتیک h21e دقیقه
پنجاه
فرکانس قطع نسبت انتقال جریان fgr.MHz
یکی
حداکثر اتلاف توان ، W
0.15
مسکن
ktyu-3-6
وزن ، گرم 2
МП41А
Transistors МП41А alloyed germanium pnp amplifying low-frequency with non-standardized noise figure
Designed to amplify low frequency signals
They are produced in a metal-to-glass case with flexible leads
The type designation is shown on the side of the housing
The mass of the transistor is not more than 2 g
Package type: KTYu-3-6
Specifications: aA0.336.635TU
Main technical characteristics of theМП41А transistor
Transistor structure: pnp
Рк max – Constant dissipated collector power: 150 mW
fh21b – Limiting frequency of the transistor current transfer ratio for circuits with a common emitter and a common base: not less than 1 MHz
Uker samples – Breakdown voltage collector-emitter at a given collector current and a given (final) resistance in the base-emitter circuit: 15 V
Uebo samples – Breakdown voltage emitter-base at a given reverse current of the emitter and open collector circuit: 10 V
Iк max – Maximum permissible direct collector current: 30 mA
Iк and max – Maximum allowable pulse collector current: 150 mA
Ikbo – Reverse collector current – current through the collector junction at a given collector-base reverse voltage and an open emitter terminal: no more than 15 μA
h21e – Static current transfer coefficient of the transistor in the small signal mode for circuits with a common emitter and a common base, respectively: 50 … 100
Ck – Collector junction capacitance: no more than 50 pF
Technical specifications
Structure
pnp
Max. ex. k-b at a given reverse current k and open circuit e. (Ukbo max), V
15
Max. ex. k-e at a given current k and an open circuit b. (Ukeo max), V
ten
Maximum permissible current to (Ik max.A)
0.03
Static current transfer coefficient h21e min
fifty
Cutoff frequency of current transfer ratio fgr.MHz
one
Maximum power dissipation, W
0.15
Housing
ktyu-3-6
Weight, g 2
دانلود فایل پی دی اف: 415N0125400.pdf
نقد و بررسی‌ها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.