توضیحات
ترانزیستور دو قطبی | Bipolar transistor KT803A
KT803A KT803A
ترانزیستورها ساختارهای سیلیکونی mesplanar npn یونیورسال برای استفاده در تقویت کننده های DC ،
ژنراتورهای اسکن خط ، منابع تغذیه ثانویه طراحی شده است.
آنها در یک جعبه فلز به شیشه با لیدهای سفت و سخت تولید می شوند.
جرم ترانزیستور بیش از 22 گرم نیست ، با یک فلنج لغزش – بیش از 34 گرم نیست.
آنها در یک جعبه فلز به شیشه با لیدهای سفت و سخت تولید می شوند.
جرم ترانزیستور بیش از 22 گرم نیست ، با یک فلنج لغزش – بیش از 34 گرم نیست.
بسته بندی:
نوع: KTYU-3-20
مشخصات: ZhK3.365.206 TUM مشخصات فنی ترانزیستوی KT803A
ساختار ترانزیستور: npn
Рк т max – توان اتلاف ثابت جمع کننده با یک غرق کننده حرارت: 60 وات
fgr – فرکانس قطع ضریب انتقال جریان ترانزیستور برای مدار با یک فرستنده مشترک: کمتر از 20 مگاهرتز
Uker max – حداکثر ولتاژ جمع کننده – ساطع کننده در یک جریان جمع کننده مشخص و یک مقاومت داده شده در مدار پایه ساطع کننده: 60 ولت 0.1 کیلو اهم
Uebo max – حداکثر ولتاژ پایه امیتر در جریان معکوس معین جریان ساطع کننده و مدار جمع کننده باز: 4 ولت
Ik max – حداکثر جریان جمع کننده ثابت مجاز: 5 A
Iker – جریان جمع کننده – ساطع کننده معکوس در ولتاژ معکوس جمع کننده – ساطع کننده و مقاومت در برابر ساطع کننده
نوع: KTYU-3-20
مشخصات: ZhK3.365.206 TUM مشخصات فنی ترانزیستوی KT803A
ساختار ترانزیستور: npn
Рк т max – توان اتلاف ثابت جمع کننده با یک غرق کننده حرارت: 60 وات
fgr – فرکانس قطع ضریب انتقال جریان ترانزیستور برای مدار با یک فرستنده مشترک: کمتر از 20 مگاهرتز
Uker max – حداکثر ولتاژ جمع کننده – ساطع کننده در یک جریان جمع کننده مشخص و یک مقاومت داده شده در مدار پایه ساطع کننده: 60 ولت 0.1 کیلو اهم
Uebo max – حداکثر ولتاژ پایه امیتر در جریان معکوس معین جریان ساطع کننده و مدار جمع کننده باز: 4 ولت
Ik max – حداکثر جریان جمع کننده ثابت مجاز: 5 A
Iker – جریان جمع کننده – ساطع کننده معکوس در ولتاژ معکوس جمع کننده – ساطع کننده و مقاومت در برابر ساطع کننده
پایه: 5 میلی آمپر 70 ولت
h21e – ضریب انتقال جریان استاتیک ترانزیستور برای مدارهای دارای یک ساطع کننده مشترک: 10 … 7
CK – ظرفیت اتصال کلکتور: بیش از 250 pF
Rke sat – مقاومت به اشباع بین جمع کننده و گسیل کننده: بیش از 0.5 اهم
h21e – ضریب انتقال جریان استاتیک ترانزیستور برای مدارهای دارای یک ساطع کننده مشترک: 10 … 7
CK – ظرفیت اتصال کلکتور: بیش از 250 pF
Rke sat – مقاومت به اشباع بین جمع کننده و گسیل کننده: بیش از 0.5 اهم
در دهه 70، با رشد صنعت شوروی، ترانزیستورهای NPN سوئیچینگ مزاپلانار سیلیکونی با قدرت بالا ظاهر شدند.
یکی از ویژگی های مهم چنین دستگاه هایی افزایش ویژگی های حداکثر پارامترهای مجاز بود.
مشخصات ترانزیستور KT803A
اگر به مشخصات فنی ترانزیستور KT804A نگاه کنید، می توان گفت که این یک قطعه رادیویی قدرتمند، سیلیکونی، دوقطبی و فرکانس پایین است.
در دهه 70 قرن گذشته در کارخانه داخلی اولیانوفسک “ایسکرا” منتشر شد.
با استفاده از تکنولوژی مسطح ساخته شده است.
این در مدارهای کلیدی، ژنراتورهای اسکن افقی، تنظیم کننده های ولتاژ، سوئیچینگ منابع تغذیه ثانویه استفاده شد.
اولین آبشارهای خروجی تقویت کننده های Hi-Fi شوروی روی آن مونتاژ شد.
جهت هرگونه پرسش و استعلام قیمت و موجودی لطفا با مشاورین فناوران قلب تبریز تماس بگیرید :
نقد و بررسی‌ها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.