ترانزیستور دو قطبی | KT802A bipolar transistor


45,000 تومان

موجود در انبار

  • گارانتی اصالت و سلامت فیزیکی کالا
  • آماده ارسال از انبار

توضیحات

KT802A KT802A
ترانزیستور سیلیکون mesplanar ساختارهای npn یونیورسال
برای استفاده در تقویت کننده های DC ، ژنراتورهای اسکن خط ، تقویت کننده های قدرت و منابع تغذیه ثانویه طراحی شده است
تولید شده در یک محفظه فلز به شیشه با لیدهای سخت
نوع دستگاه روی محصول مشخص شده است
جرم ترانزیستور بیش از 22 گرم نیست ، با یک فلنج بالایی – بیش از 34 گرم نیست
نوع بسته بندی: KTYu-3-20
مشخصات: ZhK3.365.156 TU

ساختار NPN

حداکثر پایه جمع کننده ولتاژ (ضربه ای) 150 ولت

حداکثر جمع کننده – ساطع کننده ولتاژ مجاز (ضربه ای) 130 ولت

حداکثر مجاز جمع کننده پیوسته (ضربه ای) 5000 میلی آمپر

حداکثر اتلاف پایدار مجاز مجاز کلکتور بدون گرم کن (با گرم کن) (50) W

نسبت انتقال جریان استاتیک یک ترانزیستور دو قطبی در یک مدار انتشار دهنده مشترک => 15

جریان معکوس جمع کننده <= 60،000 μA

فرکانس قطع ضریب انتقال جریان در مدار با یک ساطع کننده مشترک => 10 مگاهرتز

شکل نویز ترانزیستور دو قطبی <5dB

KT802A KT802A
transistor silicon mesplanar structures npn universal
Designed for use in DC amplifiers, line scan generators, power amplifiers, and secondary power supplies
Produced in a metal-to-glass housing with rigid leads
The type of device is indicated on the case
The mass of the transistor is no more than 22 g, with an overhead flange – no more than 34 g
Package type: KTYu-3-20
Specifications: ZhK3.365.156 TU

Npn structure

Maximum allowable (impulse) voltage collector-base 150 V

Maximum allowable (impulse) voltage collector-emitter 130 V

Maximum permissible continuous (impulse) collector current 5000 mA

Maximum permissible constant power dissipation of the collector without heat sink (with heat sink) (50) W

Static current transfer ratio of a bipolar transistor in a common emitter circuit => 15

Collector reverse current <= 60,000 μA

Cutoff frequency of the current transfer coefficient in the circuit with a common emitter => 10 MHz

Bipolar transistor noise figure <5dB

Technical characteristics of transistors KT802A

Transistor type Structure Limit values ​​of parameters at Тп = 25 ° С Parameter values ​​at Тп = 25 ° С T P
max
T
max
I K
max
I K. I.
max
U FE R max U KB 0 max U EB 0 max R K. T. max h21E U ke
us.
I KBO I EBO I KER f gp. C K With e
A A IN IN IN W IN mA mA mA MHz pF pF ° C ° C
KT802A npn 5 150 3 fifty > 15 <5 <60 > 10 150 -60 … + 100

Symbols of electrical parameters of transistors
 I K max – the maximum permissible direct current of the transistor collector
 I K. I. max – the maximum permissible pulse current of the transistor collector
U FE R max – maximum voltage between collector and emitter at a given collector current and resistance in the base-emitter circuit
 U CE 0 max – maximum voltage between the collector and the emitter of the transistor at a given collector current and base current equal to zero
 U KB 0 max– maximum collector-base voltage at a given collector current and emitter current equal to zero
U EB 0 max – the maximum permissible constant emitter-base voltage at a collector current equal to zero
Р К max – maximum permissible constant power dissipated on the transistor collector
P KT max – the maximum allowable continuous power dissipation in the transistor collector to the heat sink
h21E – static current transfer coefficient of the bipolar transistor
U CE us.is the saturation voltage between the collector and the emitter of the transistor
I KBO – collector reverse current. The current through the collector junction at a given collector-base reverse voltage and an open emitter terminal
I EBO – emitter reverse current. The current through the emitter junction at a given emitter-base reverse voltage and an open collector terminal
I KER – collector-emitter reverse current at a given collector-emitter reverse voltage and resistance in the baseemitter circuit
f gr – cutoff frequency of the current transfer coefficient
С К – capacity of the collector junction
C E – the capacity of the collector junction
Т П max  – maximum allowable junction temperature
T max  – maximum permissible ambient temperature

Characteristics, parameters, diagram, description

KT802A

Specifications; Datasheet:Download PDF file

نقد و بررسی‌ها

هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.

اولین کسی باشید که دیدگاهی می نویسد “ترانزیستور دو قطبی | KT802A bipolar transistor”

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *

15 − هفت =