توضیحات
ترانزیستور P215 سازه های آلیاژ ژرمانیوم pnp یونیورسال
طراحی شده برای استفاده در دستگاه های سوئیچینگ ، مراحل خروجی تقویت کننده های فرکانس پایین ، مبدل های ولتاژ DC
آنها در یک جعبه فلز به شیشه با لیدهای سفت و سخت تولید می شوند
نوع دستگاه روی محفظه مشخص شده است
جرم ترانزیستور بیش از 12.5 گرم نیست ، فلنج نصب بیش از 4.5 گرم نیست
مشخصات: SI3.365.012TUT اصلی ترین مشخصات فنی ترانزیستور P215
ساختار ترانزیستور: pnp
Pk t max – اتلاف مداوم توان کلکتور با یک غرق گرما: 10 وات
fh21e – محدود کردن فرکانس نسبت انتقال جریان ترانزیستور برای مدارهای دارای یک ساطع کننده مشترک: کمتر از 0.15 مگاهرتز
نمونه های Ukbo – پایه ولتاژ تجزیه کننده ولتاژ در جریان معکوس معین جمع کننده و مدار ساطع کننده باز: 80 ولت
نمونه های Uebo – پایه ساطع کننده ولتاژ خرابی در جریان معکوس معکوس ساطع کننده و مدار جمع کننده باز: 15 ولت
Ik max – حداکثر جریان جمع کننده ثابت مجاز: 5 A
Ikbo – جریان جمع کننده معکوس – جریان از محل اتصال کلکتور در یک ولتاژ معکوس پایه جمع کننده و یک ترمینال انتشار دهنده باز: بیش از 0.3 میلی آمپر
h21E – ضریب انتقال جریان ثابت برای یک مدار با یک ساطع کننده مشترک در حالت سیگنال بزرگ: 20 … 150
Rke sat – مقاومت به اشباع بین جمع کننده و گسیل کننده: بیش از 0.3 اهم
Transistors P215 germanium alloy structures pnp universal
Designed for use in switching devices, output stages of low frequency amplifiers, DC voltage converters
They are produced in a metal-to-glass case with rigid leads
The type of device is indicated on the housing
The mass of the transistor is not more than 12.5 g, the mounting flange is not more than 4.5 g
Specifications: SI3.365.012TUThe main technical characteristics of the P215 transistor
Transistor structure: pnp
Pk t max – Constant power dissipation of the collector with a heat sink: 10 W
fh21e – Limiting frequency of the transistor current transfer ratio for circuits with a common emitter: not less than 0.15 MHz
Ukbo samples – Breakdown voltage collector-base at a given reverse current of the collector and open emitter circuit: 80 V
Uebo samples – Breakdown voltage emitter-base at a given reverse current of the emitter and open collector circuit: 15 V
Ik max – Maximum permissible constant collector current: 5 A
Ikbo – Reverse collector current – current through the collector junction at a given collector-base reverse voltage and an open emitter terminal: no more than 0.3 mA
h21E – Static current transfer coefficient for a circuit with a common emitter in large signal mode: 20 … 150
Rke sat – Saturation resistance between collector and emitter: no more than 0.3 Ohm
Technical characteristics of P215 transistors
| Transistor type | Structure | Limit values of parameters at Тп = 25 ° С | Parameter values at Тп = 25 ° С | T P max |
T max |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| I K max |
I K. I. max |
U FE R max (U FE 0 max) |
U KB 0 max | U EB 0 max | R K. T. max | h21E | U ke us |
I KBO | I EBO | f gp. | K W | C K | With e | ||||
| A | A | IN | IN | IN | W | IN | μA | μA | MHz | dB | pf | pf | ° C | ° C | |||
| P215 | pnp | 5 | – | 70 | 80 | 15 | ten | 20 … 150 | 0.9 | 0.3 | 0.3 | 0.15 | – | – | – | 85 | -60 … + 70 |
Symbols of electrical parameters of transistors
I K max – maximum permissible direct current of the transistor collector
I K. I. max – the maximum permissible pulse current of the transistor collector
U FE R max – maximum voltage between collector and emitter at a given collector current and resistance in the base-emitter circuit
U CE 0 max – maximum voltage between the collector and the emitter of the transistor at a given collector current and base current equal to zero
U KB 0 max– maximum collector-base voltage at a given collector current and emitter current equal to zero
U EB 0 max – the maximum permissible constant voltage emitter-base at a collector current equal to zero
Р К max – maximum permissible constant power dissipated on the transistor collector
R KT max – maximum permissible constant power dissipated on the collector of the transistor with a heat sink
h21E – static current transfer coefficient of the bipolar transistor
U CE us.– the saturation voltage between the collector and the emitter of the transistor
I KBO – collector reverse current. The current through the collector junction at a given collector-base reverse voltage and an open emitter terminal
I EBO – emitter reverse current. The current through the emitter junction at a given emitter-base reverse voltage and an open collector terminal
f gr – cutoff frequency of the current transfer coefficient
K W – the noise figure of the transistor
С К – capacity of the collector junction
С Э – capacity of the collector junction
Т П max – maximum allowable junction temperature
T max – maximum permissible ambient temperature
Characteristics, parameters, diagram, description
P215
Specifications; Datasheet:Download PDF file
نقد و بررسی‌ها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.