توضیحات
ترانزیستورها پالس npn ساختارهای سیاره ای سیلیکونی 2Т926А
برای استفاده در تعدیل کننده های پالس طراحی شده است
بدنه سرامیکی و فلزی با لیدهای محکم
جرم ترانزیستور بیش از 20 گرم نیست
نوع بسته بندی: KT-10
مشخصات: ГЕ3.365.025 ТУ: مشخصات اصلی فنی ترانزیستور 2Т926А
ساختار ترانزیستور: npn
Рк т max – توان اتلاف ثابت جمع کننده با یک مخزن حرارتی: 50 وات
fgr – فرکانس قطع ضریب انتقال جریان ترانزیستور برای مدار با یک فرستنده مشترک: بیش از 50 مگاهرتز
Uker max – حداکثر ولتاژ جمع کننده – ساطع کننده در یک جریان جمع کننده مشخص و یک مقاومت معین در مدار پایه ساطع کننده: 150 ولت 0.1 کیلو اهم
Uebo max – حداکثر ولتاژ پایه ساطع کننده در جریان معکوس معین جریان ساطع کننده و مدار جمع کننده باز: 5 ولت
Ik max – حداکثر جریان جمع کننده ثابت مجاز: 15 A
Ik و max – حداکثر جریان پالس مجاز جمع کننده: 25 A
Iker – جریان معکوس جمع کننده – ساطع کننده در ولتاژ معکوس جمع کننده – ساطع کننده و مقاومت در برابر انتشار دهنده پایه: بیش از 25 میلی آمپر 150 ولت
h21e – ضریب انتقال جریان استاتیک ترانزیستور برای مدارهای دارای یک ساطع کننده مشترک: 10 … 60
Rke sat – مقاومت به اشباع بین جمع کننده و ساطع کننده: بیشتر از 0.17 اهم نیست
Transistors 2Т926А silicon mesplanar structures npn pulse
Designed for use in pulse modulators
Metal-ceramic body with rigid leads
The mass of the transistor is not more than 20 g
Package type: KT-10
Specifications: ГЕ3.365.025 ТУ:Main technical characteristics of 2Т926А transistor
Transistor structure: npn
Рк т max – Constant dissipated power of the collector with a heat sink: 50 W
fgr – Cutoff frequency of the current transfer coefficient of the transistor for a circuit with a common emitter: more than 50 MHz
Uker max – Maximum collector-emitter voltage at a given collector current and a given resistance in the base-emitter circuit: 150 V 0.1 kOhm
Uebo max – Maximum emitter-base voltage at a given reverse current of the emitter and open collector circuit: 5 V
Ik max – Maximum permissible constant collector current: 15 A
Iк and max – The maximum allowable pulse current of the collector: 25 A
Iker – Collector-emitter reverse current at a given collector-emitter reverse voltage and base-emitter resistance: no more than 25 mA 150V
h21e – Static current transfer coefficient of the transistor for circuits with a common emitter: 10 … 60
Rke sat – Saturation resistance between collector and emitter: no more than 0.17 Ohm
Technical characteristics of transistors 2T926A, KT926A, KT926B
| Transistor type | Structure | Limit values of parameters at Тп = 25 ° С | Parameter values at Тп = 25 ° С | T P max |
T max |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| I K max |
I K. I. max |
U FE R max | U KB 0 max | U EB 0 max | U PIT max | R K. T. max | h21E | U ke us. |
I KER | I EBO | f gp. | P OUT | K SD | ||||
| A | A | IN | IN | IN | IN | W | IN | mA | mA | MHz | W | dB | ° C | ° C | |||
| 2T926A | npn | 15 | 25 | 150 | – | 5 | – | fifty | 12 … 60 | <2.5 | <25 | <300 | > 50 | – | – | 150 | -60 … + 125 |
| KT926A | npn | 15 | 25 | 150 | – | 5 | – | fifty | 10 … 60 | <2.5 | <25 | <300 | > 50 | – | – | 150 | -45 … + 100 |
| KT926B | npn | 15 | 25 | 150 | – | 5 | – | fifty | 10 … 60 | <2.5 | <25 | <300 | > 50 | – | – | 150 | -45 … + 100 |
Symbols of electrical parameters of transistors
I K max – the maximum permissible direct current of the transistor collector
I K. I. max – the maximum permissible pulse current of the transistor collector
U FE R max – the maximum allowable constant voltage collector-emitter with resistance in the base-emitter circuit
U CE 0 max – the maximum permissible constant collector-emitter voltage at a base current equal to zero
U KB 0 max– the maximum permissible DC voltage of the collector-base at the emitter current equal to zero
U EB 0 max – the maximum permissible constant emitter-base voltage at a collector current equal to zero
U PIT max – maximum allowable supply voltag
Р К max – maximum permissible constant power dissipated on the transistor collector
P KT max – the maximum allowable continuous power dissipation in the transistor collector to the heat sink
h21E – static current transfer coefficient of the bipolar transistor
U CE us. is the saturation voltage between the collector and the emitter of the transistor
I KBO – collector reverse current. The current through the collector junction at a given collector-base reverse voltage and an open emitter terminal
I EBO – emitter reverse current. The current through the emitter junction at a given emitter-base reverse voltage and an open collector terminal
f gr – cutoff frequency of the current transfer coefficient
P OUT– the output power of the transistor
К УР – power amplification factor of the transistor
Т П max – maximum allowable junction temperature
T max – maximum permissible ambient temperature
Characteristics, parameters, diagram, description
2T926A
Specifications; Datasheet:Download PDF file
نقد و بررسی‌ها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.